使用GSL-1700X-SPC-2設備在Si片上蒸鍍Cu，探索設備蒸鍍膜厚大及小值。

實驗過程：

圖1設備                        圖2蒸發(fā)料

原料：銅段（蒸發(fā)料，銅導線內芯），Si基底（酒精超聲清洗30min，后使用去離子水超聲清洗30min，真空烘箱70℃烘干）。使用分子泵抽真空，待真空度到達10⁰時，利用氮氣對腔室進行洗氣三至四次。洗氣結束，待分子泵抽真空至10^-4Torr，開始給爐子加熱，升溫曲線0.6℃/s，升溫至相應溫度，玻璃罩出現金屬色后打開擋板蒸鍍。

實驗結果如下：

結論：

1、GSL-1700X-SPC-2設備在Si基底上鍍Cu，薄（膜厚儀可檢測）可蒸鍍至14.8nm

2、GSL-1700X-SPC-2設備在Si基底上鍍Cu，厚（起皮前）可蒸鍍至37.72μm

特別聲明：

1. 以上所有實驗僅為初步探究，僅供參考。由于我們水平有限，錯誤疏漏之處歡迎指出，我們非常期待您的建議。

2. 歡迎您提出其他實驗思路，我們來驗證。

3. 以上實驗案例及數據只針對科晶設備，不具有普遍性。

4. 因為涉及保密問題，以上數據僅為部分數據，歡迎老師與我們聯(lián)系，我們非常期待和您共同探討設備的應用技術。